Parlatma öğütme için silikon karbie tozu

Silikon karbür üretimi birkaç karmaşık işlemi içerir. Birincil yöntemlerden biri, 19. yüzyılın sonlarında geliştirilen Acheson sürecidir. Bu işlemde, bir elektrik direnci fırında silika kumu ve petrol kola karışımı 2000 - 2500 derecesi etrafındaki sıcaklıklara kadar ısıtılır. Yüksek sıcaklık, kumdaki silikon dioksit ve kokda karbon arasında kimyasal bir reaksiyona neden olur, bu da silikon karbür oluşumuna neden olur. Bununla birlikte, Acheson işlemi tipik olarak saflaştırma aşamaları gerektiren safsızlıklarla silikon karbür üretir.

Modern üretim teknikleri, yarı iletken uygulamalar için yüksek saflık, tek kristal silikon karbür üretmeye odaklanır. Kimyasal buhar birikimi (CVD), yüksek kaliteli SIC tek kristalleri yetiştirmek için yaygın olarak kullanılan bir yöntemdir. CVD'de, öncüleri içeren ve karbon içeren uçucu silikon karışımı, yüksek sıcaklık reaktörüne sokulur. Bu öncüler, bir tohum kristali üzerinde silikon ve karbon atomlarını ayrıştırır ve biriktirir, yavaş yavaş büyük, tek - kristal bir boule büyür. Herhangi bir kusur SIC tabanlı cihazların performansını önemli ölçüde etkileyebileceğinden, kristalin kalitesini sağlamak için büyüme sürecinin tam olarak kontrol edilmesi gerekir. Kristal büyümeden sonra, bouller dilimlenir, cilalanır ve gofretler halinde işlenir, bu da daha sonra çeşitli SIC tabanlı elektronik ve optoelektronik cihazları üretmek için kullanılır.

Zhenan, üretim, işleme, satış ve ithal ve ihracat işini entegre eden metalurjik ve refrakter ürünlerinde uzmanlaşmış bir işletmedir. Dünyanın dört bir yanında özel bir profesyonel ekibi oluşturmaya odaklandık. Zhenan'da, müşterimizin süreçlerini süit etmek için "Doğru Kalite ve Miktar" sunarak eksiksiz çözümler sunmaya kararlıyız.

Popüler Etiketler: Parlatma için Silikon Karbie Tozu, Çin Silikon Karbie Tozu Parlatma Üreticileri, Tedarikçiler, Fabrika